Транзистор FQN1N50CBU
FQN1N50CBU - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-92
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 0.89 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 500 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 0.38 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 6 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 4.9 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 10 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 28 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор FQN1N50CBU можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| FQN1N50CTA |
PTH |
N |
0.89 |
500 |
30 |
4 |
0.38 |
6 |
4.9 |
10 |
28 |
150 |
TO-92 |