Транзистор FQP11N50CF

FQP11N50CF - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
• Корпус: TO-220

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 195 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 500 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 11 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.55 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 43 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 70 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 185 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор FQP11N50CF можно заменить на:

Нет элементов для замены