Справочник электронных компонентов

Транзистор FQP2P40

FQP2P40 - Транзистор полевой MOSFET структуры P

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: TO-220

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 63 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 400 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 2 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 6.5 Ом
Общий заряд затвора, Qg: -
Время нарастания импульса открытия, Tr: -
Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор FQP2P40 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
FQB2P40TM	SMD	P	63	400	30	5	2	6.5	10	33	45	150	D2PAK
FQB3P50TM	SMD	P	85	500	30	5	2.7	4.9	18	56	70	150	D2PAK
FQB4P40TM	SMD	P	85	400	30	5	3.5	3.1	18	55	80	150	D2PAK
FQI3P50TU	PTH	P	85	500	30	5	2.7	4.9	18	56	70	150	I2PAK
FQI4P40TU	PTH	P	85	400	30	5	3.5	3.1	18	55	80	150	I2PAK
FQP3P50	PTH	P	85	500	30	5	2.7	4.9	23	-	-	150	TO-220
FQP4P40	PTH	P	85	400	30	5	3.5	3.1	18	-	-	150	TO-220
KQB4P40	SMD	P	85	400	30	5	3.5	3.1	18	55	80	150	TO-263