Транзистор FQPF14N30
FQPF14N30 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-220F
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 50 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 300 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 8.5 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.29 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 30 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 145 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 200 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор FQPF14N30 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| FQA14N30 |
PTH |
N |
160 |
300 |
30 |
5 |
15 |
0.29 |
30 |
145 |
200 |
150 |
TO-3P |
| FQAF14N30 |
PTH |
N |
90 |
300 |
30 |
5 |
11.4 |
0.29 |
30 |
145 |
200 |
150 |
TO-3PF |
| FQB14N30TM |
SMD |
N |
147 |
300 |
30 |
5 |
14.4 |
0.29 |
30 |
145 |
200 |
150 |
D2PAK |