Справочник электронных компонентов

Транзистор FQPF70N10

FQPF70N10 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: TO-220F

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 62 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 25 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 35 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.025 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 85 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: -
Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц

Транзистор FQPF70N10 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
FQA70N10	PTH	N	214	100	25	4	70	0.025	85	-	-	175	TO-3PN
FQB70N10TM_AM002	SMD	N	160	100	25	4	57	0.023	85	470	720	175	D2PAK
FQH70N10	PTH	N	214	100	25	4	70	0.023	85	470	720	175	TO-247
FQP70N10	PTH	N	160	100	25	4	57	0.025	85	-	-	175	TO-220
SM1A01NFS	PTH	N	136	100	25	4	53	0.022	37	13	270	175	TO-220
SM1A01NSF	PTH	N	136	100	25	4	53	0.022	37	13	270	175	TO-220