Транзистор FQT1N80TF_WS

FQT1N80TF_WS - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: SOT-223

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 2.1 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 800 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 0.2 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 20 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 5.5 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 25 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 20 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор FQT1N80TF_WS можно заменить на:

Нет элементов для замены