Справочник электронных компонентов

Транзистор FQT3P20

FQT3P20 - Транзистор полевой MOSFET структуры P

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: SOT-223

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 2.5 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 200 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
Максимальный постоянный ток стока, Id: 0.67 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 2.7 Ом
Общий заряд затвора, Qg: -
Время нарастания импульса открытия, Tr: -
Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор FQT3P20 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
2SJ306	PTH	P	25	250	30	-	3	1.5	-	18	110	150	TO-220ML
2SJ320	PTH	P	25	250	30	-	4	1.3	-	23	140	150	TO-220ML
2SJ583LS	PTH	P	20	250	30	-	3.5	1.5	-	21	95	150	TO-220FI
2SJ584LS	PTH	P	25	250	30	-	4.5	1.2	-	30	120	150	TO-220FI
FQT3P20TF	SMD	P	2.5	200	30	5	0.67	2.7	6	35	45	150	SOT-223
MTEJ0P20L3	SMD	P	2.5	200	30	-	1.6	0.95	-	4	37	150	SOT-223