Транзистор FQT5P10
FQT5P10 - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SOT-223
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 2 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 1 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 1.05 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор FQT5P10 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| FQT5P10TF |
SMD |
P |
2 |
100 |
30 |
4 |
1 |
1.05 |
6.3 |
70 |
70 |
150 |
SOT-223 |
| MTEF1P15L3 |
SMD |
P |
2.5 |
150 |
30 |
- |
2 |
0.64 |
- |
6 |
31 |
150 |
SOT-223 |
| MTEJ0P20L3 |
SMD |
P |
2.5 |
200 |
30 |
- |
1.6 |
0.95 |
- |
4 |
37 |
150 |
SOT-223 |
| SI7315DN |
SMD |
P |
3.8 |
150 |
30 |
4 |
2.4 |
0.315 |
- |
9 |
50 |
150 |
PowerPAK1212-8 |