Транзистор FQT7N10LTF
FQT7N10LTF - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SOT-223
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 2 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 1.7 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.35 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 4.6 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 100 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 55 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор FQT7N10LTF можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AFN8412 |
SMD |
N |
2.8 |
100 |
20 |
2 |
3.6 |
0.3 |
2.8 |
20 |
22 |
150 |
SOT-223 |
| KX7N10L |
SMD |
N |
2 |
100 |
20 |
2 |
1.7 |
0.35 |
4.6 |
100 |
55 |
150 |
SOT-223 |