Транзистор FQT7N10TF
FQT7N10TF - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SOT-223
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 2 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 25 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 1.7 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.35 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 5.8 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 24 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 60 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор FQT7N10TF можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| 7N10G-AA3 |
SMD |
N |
2 |
100 |
25 |
4 |
5 |
0.35 |
5.8 |
24 |
60 |
150 |
SOT-223 |
| 7N10G-TN3 |
SMD |
N |
2.5 |
100 |
25 |
4 |
5 |
0.35 |
5.8 |
24 |
60 |
150 |
TO-252 |
| 7N10L-AA3 |
SMD |
N |
2 |
100 |
25 |
4 |
5 |
0.35 |
5.8 |
24 |
60 |
150 |
SOT-223 |
| 7N10L-TN3 |
SMD |
N |
2.5 |
100 |
25 |
4 |
5 |
0.35 |
5.8 |
24 |
60 |
150 |
TO-252 |