Транзистор FQU10N20TU
FQU10N20TU - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: IPAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 51 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 200 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 7.6 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.36 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 13.5 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 90 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 95 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор FQU10N20TU можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| FQD10N20TF |
SMD |
N |
51 |
200 |
30 |
5 |
7.6 |
0.36 |
13.5 |
90 |
95 |
150 |
DPAK |
| FQD10N20TM |
SMD |
N |
51 |
200 |
30 |
5 |
7.6 |
0.36 |
13.5 |
90 |
95 |
150 |
DPAK |
| FQP10N20 |
PTH |
N |
87 |
200 |
30 |
5 |
10 |
0.36 |
13.5 |
90 |
95 |
150 |
TO-220 |