Транзистор FQU2N50BTU

FQU2N50BTU - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
• Корпус: IPAK

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 30 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 500 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3.7 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 1.6 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 5.3 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 6 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 25 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 30 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор FQU2N50BTU можно заменить на:

Нет элементов для замены