Транзистор FQU3N50C
FQU3N50C - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-251
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 35 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 500 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 2.5 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 2.5 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 10 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор FQU3N50C можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AFN04N60T220T |
PTH |
N |
100 |
600 |
30 |
4 |
4 |
2.4 |
8.16 |
26.2 |
57 |
150 |
TO-220 |
| AFN04N60T251T |
PTH |
N |
86 |
600 |
30 |
4 |
4 |
2.4 |
8.16 |
26.2 |
57 |
150 |
TO-251 |
| CHM05N65PAGP |
SMD |
N |
56 |
650 |
30 |
4 |
4 |
2.4 |
10 |
12 |
90 |
150 |
DPAK |
| FQD3N50CTF |
SMD |
N |
35 |
500 |
30 |
4 |
2.5 |
2.5 |
10 |
25 |
65 |
150 |
DPAK |
| FQD3N50CTM |
SMD |
N |
35 |
500 |
30 |
4 |
2.5 |
2.5 |
10 |
25 |
65 |
150 |
DPAK |
| KF4N60D |
PTH |
N |
59.5 |
600 |
30 |
4.5 |
3.2 |
2.5 |
10 |
30 |
54 |
150 |
IPAK |
| SIHD5N50D |
SMD |
N |
104 |
500 |
30 |
5 |
5.3 |
1.5 |
10 |
11 |
34 |
150 |
TO-252 |
| SIHU5N50D |
PTH |
N |
104 |
500 |
30 |
5 |
5.3 |
1.5 |
10 |
11 |
34 |
150 |
TO-251 |
| STD3NM60T4 |
SMD |
N |
42 |
600 |
30 |
5 |
3 |
1.5 |
10 |
4 |
132 |
150 |
DPAK |