Транзистор FQU5N50TU
FQU5N50TU - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: IPAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 50 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 500 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 3.5 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 1.8 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 13 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 55 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 75 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор FQU5N50TU можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| FQB5N50TM |
SMD |
N |
85 |
500 |
30 |
5 |
4.5 |
1.8 |
13 |
55 |
75 |
150 |
D2PAK |
| FQD5N50TF |
SMD |
N |
50 |
500 |
30 |
5 |
3.5 |
1.8 |
13 |
55 |
75 |
150 |
DPAK |
| SIHD5N50D |
SMD |
N |
104 |
500 |
30 |
5 |
5.3 |
1.5 |
10 |
11 |
34 |
150 |
TO-252 |
| SIHU5N50D |
PTH |
N |
104 |
500 |
30 |
5 |
5.3 |
1.5 |
10 |
11 |
34 |
150 |
TO-251 |
| STB6N80K5 |
SMD |
N |
85 |
800 |
30 |
5 |
4.5 |
1.6 |
13 |
7.5 |
25 |
150 |
D2PAK |
| STD6N80K5 |
SMD |
N |
85 |
800 |
30 |
5 |
4.5 |
1.6 |
13 |
7.5 |
25 |
150 |
DPAK |
| STI6N80K5 |
PTH |
N |
85 |
800 |
30 |
5 |
4.5 |
1.6 |
13 |
7.5 |
25 |
150 |
I2PAK |
| STP6N80K5 |
PTH |
N |
85 |
800 |
30 |
5 |
4.5 |
1.6 |
13 |
7.5 |
25 |
150 |
TO-220 |
| STU6N95K5 |
PTH |
N |
90 |
950 |
30 |
5 |
9 |
1.25 |
13 |
12 |
30 |
150 |
IPAK |