Транзистор FTD02N70
FTD02N70 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 54 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 700 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 1.8 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 6.5 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 8.5 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 31 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор FTD02N70 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| FTU02N70 |
PTH |
N |
54 |
700 |
30 |
- |
1.8 |
6.5 |
- |
8.5 |
31 |
150 |
TO-251 |
| STB6N80K5 |
SMD |
N |
85 |
800 |
30 |
5 |
4.5 |
1.6 |
13 |
7.5 |
25 |
150 |
D2PAK |
| STD3N80K5 |
SMD |
N |
60 |
800 |
30 |
5 |
2.5 |
3.5 |
9.5 |
7.5 |
14 |
150 |
DPAK |
| STD6N80K5 |
SMD |
N |
85 |
800 |
30 |
5 |
4.5 |
1.6 |
13 |
7.5 |
25 |
150 |
DPAK |
| STI6N80K5 |
PTH |
N |
85 |
800 |
30 |
5 |
4.5 |
1.6 |
13 |
7.5 |
25 |
150 |
I2PAK |
| STP3N80K5 |
PTH |
N |
60 |
800 |
30 |
5 |
2.5 |
3.5 |
9.5 |
7.5 |
14 |
150 |
TO-220 |
| STP5N105K5 |
PTH |
N |
85 |
1050 |
30 |
5 |
3 |
3.5 |
12.5 |
8.5 |
16 |
150 |
TO-220 |
| STP6N80K5 |
PTH |
N |
85 |
800 |
30 |
5 |
4.5 |
1.6 |
13 |
7.5 |
25 |
150 |
TO-220 |
| STU3N80K5 |
PTH |
N |
60 |
800 |
30 |
5 |
2.5 |
3.5 |
9.5 |
7.5 |
14 |
150 |
IPAK |