Транзистор FTK100N10P

FTK100N10P - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
• Корпус: TO-220

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 131 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 100 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0108 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: -
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 10 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 334 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор FTK100N10P можно заменить на:

Нет элементов для замены