Транзистор FTK15N10D
FTK15N10D - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 39 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 15 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.09 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 31 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 58 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор FTK15N10D можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| MTDA0N10J3 |
SMD |
N |
60 |
100 |
20 |
- |
16 |
0.08 |
- |
15 |
55 |
175 |
TO-252 |
| MTEA0N10J3 |
SMD |
N |
60 |
100 |
20 |
- |
16 |
0.083 |
- |
15 |
54 |
175 |
TO-252 |
| SSF1090D |
SMD |
N |
39 |
100 |
20 |
- |
15 |
0.09 |
- |
31 |
58 |
175 |
DPAK |