Справочник электронных компонентов

Транзистор FTK4435

FTK4435 - Транзистор полевой MOSFET структуры P

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: SOP-8

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 1.4 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
Максимальный постоянный ток стока, Id: 9.1 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.024 Ом
Общий заряд затвора, Qg: -
Время нарастания импульса открытия, Tr: 15 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 215 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор FTK4435 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
AO4419	SMD	P	3.1	30	20	2.5	9.7	0.02	-	5.5	180	150	SO-8
AON3419	SMD	P	3.1	30	20	2.5	10	0.019	-	5.5	180	150	DFN3X3
AP4835GM	SMD	P	2.5	30	25	-	9.2	0.02	-	6.6	195	150	SO-8
AP4835GM-HF	SMD	P	2.5	30	20	3	9.2	0.02	-	6.6	195	150	SO-8
MTP4835L3	SMD	P	3.3	30	25	-	13	0.021	251	5	141	175	SOT-223
SI7619DN	SMD	P	3.5	30	20	3	10.5	0.021	-	8	215	150	PowerPAK1212-8
SM3307PSQA	SMD	P	3.1	30	25	2.5	11	0.018	21	12	210	150	DFN3X3-8
SM3307PSQG	SMD	P	3.1	30	25	2.5	11	0.018	21	12	210	150	DFN3X3-8
SM4307PSK	SMD	P	3.1	30	25	-	11	0.018	-	12	210	150	SOP-8
SM4310PSK	SMD	P	3.1	30	20	-	9.3	0.024	-	8	150	150	SOP-8