Транзистор FTK60P05S
FTK60P05S - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SOP-8
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 1.25 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 60 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 5 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.08 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 9 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 145 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор FTK60P05S можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AM4499P |
SMD |
P |
3.1 |
60 |
20 |
1 |
6.8 |
0.045 |
24 |
9 |
136 |
150 |
SO-8 |
| MTB40P06Q8 |
SMD |
P |
3.1 |
60 |
20 |
- |
6.2 |
0.033 |
38.7 |
6.2 |
98.3 |
150 |
SOP-8 |
| MTB90P06Q8 |
SMD |
P |
3 |
60 |
20 |
- |
5 |
0.069 |
- |
9 |
53 |
150 |
SOP-8 |