Транзистор FX30SMJ-3

FX30SMJ-3 - Транзистор полевой MOSFET структуры P

• Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
• Корпус: TO-3P

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 150 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 150 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2.3 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 30 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.1 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: -
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 99 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 674 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор FX30SMJ-3 можно заменить на:

Нет элементов для замены