Транзистор G50N10
G50N10 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-220
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 130 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 50 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.017 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 9 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 950 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор G50N10 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| CSD19531KCS |
PTH |
N |
214 |
100 |
20 |
3.3 |
100 |
0.0077 |
38 |
7.2 |
560 |
175 |
TO-220 |
| CSD19532KTT |
SMD |
N |
250 |
100 |
20 |
3.2 |
136 |
0.0056 |
44 |
3 |
674 |
175 |
D2PAK |
| CSD19533KCS |
PTH |
N |
188 |
100 |
20 |
3.4 |
86 |
0.0105 |
27 |
5 |
395 |
175 |
TO-220 |
| FDMS86150ET100 |
SMD |
N |
187 |
100 |
20 |
4 |
128 |
0.00485 |
- |
8.3 |
696 |
175 |
Power56 |
| FDMS86202ET120 |
SMD |
N |
187 |
120 |
20 |
4 |
102 |
0.0072 |
- |
8.75 |
460 |
175 |
Power56 |
| FDMS86255ET150 |
SMD |
N |
136 |
150 |
20 |
4 |
63 |
0.0124 |
- |
4.5 |
291 |
175 |
Power56 |