Транзистор GP28S50XN3P
GP28S50XN3P - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-3P
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 255 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 500 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 28 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.125 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 40.7 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 104.5 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 1766.7 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор GP28S50XN3P можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| GP28S50GN3P |
PTH |
N |
255 |
500 |
20 |
4 |
28 |
0.125 |
40.7 |
104.5 |
1766.7 |
150 |
TO-3P |