Справочник электронных компонентов

Транзистор H07N65E

H07N65E - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Основные характеристики:

Транзистор H07N65E можно заменить на:

НАЗВАНИЕ ТИП СТР. Pd, Вт Vds, В Vgs, В Vgsth, В Id, А Rds, Ом Qg, нКл Tr, нС Ci, пФ Tj, гр.Ц КОРПУС
AOB11S65 SMD N 198 650 30 4 11 0.399 - 20 42 150 TO-263
AOB11S65L SMD N 198 650 30 4 11 0.399 - 20 42 150 TO-263
AOB15S65 SMD N 208 650 30 4 15 0.29 - 24 58 150 TO-263
AOB15S65L SMD N 208 650 30 4 15 0.29 - 24 58 150 TO-263
AOT11S65 PTH N 198 650 30 4 11 0.399 - 20 42 150 TO-220
AOT11S65L PTH N 198 650 30 4 11 0.399 - 20 42 150 TO-220
AOT15S65 PTH N 208 650 30 - 15 0.29 - 24 58 150 TO-220
AOT15S65L PTH N 208 650 30 3.3 15 0.29 - 24 58 150 TO-220
AOW11S65 PTH N 198 650 30 4 11 0.399 - 20 42 150 TO-262
AOW15S65 PTH N 208 650 30 4 15 0.29 - 24 58 150 TO-262
SIHB12N65E SMD N 156 650 30 4 12 0.38 35 19 65 150 TO-263
SIHP12N65E PTH N 156 650 30 4 12 0.38 35 19 65 150 TO-220AB
SSF11NS65 PTH N 162 680 30 - 11 0.41 - 9.45 78.06 150 TO-220
STB10N95K5 SMD N 130 950 30 5 8 0.8 22 14 50 150 D2PAK
STB13N80K5 SMD N 190 800 30 5 12 0.45 29 16 50 150 D2PAK
STB15N80K5 SMD N 190 800 30 5 14 0.375 32 17.6 85 150 D2PAK
STB20N95K5 SMD N 250 950 30 5 17.5 0.33 40 12 80 150 D2PAK
STP10N95K5 PTH N 130 950 30 5 8 0.8 22 14 50 150 TO-220
STP13N80K5 PTH N 190 800 30 5 12 0.45 29 16 50 150 TO-220
STP15N80K5 PTH N 190 800 30 5 14 0.375 32 17.6 85 150 TO-220
STP15N95K5 PTH N 170 950 30 5 12 0.5 30 20 65 150 TO-220
STW10N95K5 PTH N 130 950 30 5 8 0.8 22 14 50 150 TO-247
STW13N80K5 PTH N 190 800 30 5 12 0.45 29 16 50 150 TO-247
STW15N80K5 PTH N 190 800 30 5 14 0.375 32 17.6 85 150 TO-247
STW15N95K5 PTH N 170 950 30 5 12 0.5 30 20 65 150 TO-247
STWA20N95K5 PTH N 250 950 30 5 17.5 0.33 40 12 80 150 TO-247
TK14C65W PTH N 130 650 30 3.5 13.7 0.25 35 20 35 150 I2PAK
TK14E65W PTH N 130 650 30 3.5 13.7 0.25 35 20 35 150 TO-220
TK14G65W SMD N 130 650 30 3.5 13.7 0.25 35 20 35 150 D2PAK
TK14N65W PTH N 130 650 30 3.5 13.7 0.25 35 20 35 150 TO-247