Транзистор H35N03J
H35N03J - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 57 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 25 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 35 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.009 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 3.87 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 268.43 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор H35N03J можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AOL1428A |
SMD |
N |
93 |
30 |
20 |
2.6 |
49 |
0.008 |
- |
3 |
180 |
175 |
UltraSO-8 |
| AON6246 |
SMD |
N |
83 |
60 |
20 |
2.5 |
80 |
0.0064 |
- |
2 |
258 |
150 |
DFN5X6 |
| AON7244 |
SMD |
N |
83 |
60 |
20 |
2.5 |
50 |
0.0085 |
- |
2.5 |
215 |
150 |
DFN3.3X3.3 |