Транзистор H50N03J
H50N03J - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 70 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 25 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 50 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.006 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 4 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 330.55 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор H50N03J можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AON6292 |
SMD |
N |
156 |
100 |
20 |
3.4 |
85 |
0.006 |
- |
4 |
327 |
150 |
DFN5X6 |
| CED85A3 |
PTH |
N |
70 |
25 |
20 |
- |
80 |
0.006 |
- |
4 |
330 |
150 |
TO-251 |
| CEU85A3 |
SMD |
N |
70 |
25 |
20 |
- |
80 |
0.006 |
- |
4 |
330 |
150 |
TO-252 |
| CHM85A3PAGP |
SMD |
N |
70 |
25 |
20 |
3 |
80 |
0.006 |
17 |
4 |
330 |
150 |
TO-252 |
| MMN55N03 |
SMD |
N |
70 |
25 |
20 |
3 |
55 |
0.006 |
16.8 |
4 |
330.55 |
150 |
TO-252 |