Справочник электронных компонентов

Транзистор H5N2001LD

H5N2001LD - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Основные характеристики:

Транзистор H5N2001LD можно заменить на:

НАЗВАНИЕ ТИП СТР. Pd, Вт Vds, В Vgs, В Vgsth, В Id, А Rds, Ом Qg, нКл Tr, нС Ci, пФ Tj, гр.Ц КОРПУС
AOK42S60 PTH N 417 600 30 - 39 0.099 40 53 135 150 TO-247
AOT42S60 PTH N 417 600 30 - 37 0.109 40 53 135 150 TO-220
FDA33N25 PTH N 245 250 30 5 33 0.094 36 - - 150 TO-3PN
FDB28N30TM SMD N 250 300 30 5 28 0.129 39 - - 150 TO-263
FDB33N25 SMD N 235 250 30 - 33 0.094 36.8 - - 150 TO-263
FDP33N25 PTH N 235 250 30 5 33 0.094 36.8 - - 150 TO-220
FDP39N20 PTH N 251 200 30 5 39 0.066 38 - - 150 TO-220
H5N2001LM SMD N 75 200 30 - 20 0.13 44 - - 150 LDPAK-S
H5N2001LS SMD N 75 200 30 - 20 0.13 44 - - 150 LDPAK-S
RJK2006DPE SMD N 100 200 30 - 40 0.052 43 - - 150 LDPAK-S
STL20NM20N SMD N 80 200 30 5 20 0.105 32 15 330 150 PowerFLAT6X5
TK25E60X PTH N 180 600 30 3.5 25 0.125 40 15 60 150 TO-220
TK25N60X PTH N 180 600 30 3.5 25 0.125 40 15 60 150 TO-247