Транзистор H5N2519P
H5N2519P - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-3P
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 150 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 250 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: -
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 65 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.029 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 120 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: -
Транзистор H5N2519P можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IXTH96N25T |
PTH |
N |
625 |
250 |
30 |
5 |
96 |
0.029 |
114 |
158 |
- |
150 |
TO-247 |
| IXTQ96N25T |
PTH |
N |
625 |
250 |
30 |
5 |
96 |
0.029 |
114 |
158 |
- |
150 |
TO-3P |
| IXTV96N25T |
PTH |
N |
625 |
250 |
30 |
5 |
96 |
0.029 |
114 |
158 |
- |
150 |
PLUS220 |
| RJK2511DPK |
PTH |
N |
200 |
250 |
30 |
- |
65 |
0.028 |
120 |
200 |
690 |
150 |
TO-3P |