Транзистор H5N3011P

H5N3011P - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
• Корпус: TO-3P

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 150 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 300 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: -
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 88 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.042 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 95 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: -
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: -

Транзистор H5N3011P можно заменить на:

Нет элементов для замены