Транзистор H7P1002DS
H7P1002DS - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: DPAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 30 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 15 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.105 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 45 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 45 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 190 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор H7P1002DS можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| H7P1002DL |
SMD |
P |
30 |
100 |
20 |
- |
15 |
0.105 |
45 |
45 |
190 |
150 |
DPAK |
| SM1A15PSF |
PTH |
P |
54 |
100 |
20 |
3 |
16 |
0.105 |
40 |
8 |
120 |
150 |
TO-220 |