Транзистор HAF1003S
HAF1003S - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: LDPAK-S
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 50 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 60 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 16 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 18 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.06 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 44500 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 700 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор HAF1003S можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| HAF1003L |
PTH |
P |
50 |
60 |
16 |
- |
18 |
0.06 |
- |
44500 |
700 |
150 |
LDPAK-L |