Транзистор HAF2012S
HAF2012S - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: LDPAK-S
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 50 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 60 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 16 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 20 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.043 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 29000 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 630 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор HAF2012S можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| HAF2012L |
PTH |
N |
50 |
60 |
16 |
- |
20 |
0.043 |
- |
29000 |
630 |
150 |
LDPAK-L |