Справочник электронных компонентов

Транзистор HAT1125H

HAT1125H - Транзистор полевой MOSFET структуры P

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: LFPAK

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 30 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: -
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
Максимальный постоянный ток стока, Id: 45 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0036 Ом
Общий заряд затвора, Qg: -
Время нарастания импульса открытия, Tr: -
Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
Максимальная рабочая температура канала, Tj: -

Транзистор HAT1125H можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
100P03	SMD	P	125	30	20	-	100	0.0028	-	26	1560	150	DFN5X6
AM90P03-02P	PTH	P	300	40	20	1	90	0.0029	200	60	-	175	TO-220AB
AON6403	SMD	P	83	30	20	2.2	85	0.0031	163	18	1320	150	DFN5X6
BSC030P03NS3G	SMD	P	125	30	-	-	100	0.003	140	-	-	-	SuperSOT-8
SM4309PSKP	SMD	P	78	30	25	-	100	0.0036	70	25	1130	150	DFN5X6-8
SM4311PSKP	SMD	P	125	30	20	-	100	0.0028	186	26	1560	150	DFN5X6-8
TJ100F04M3L	SMD	P	250	40	10	3	100	0.0036	250	10	1550	175	TO-220SM
TJ150F04M3L	SMD	P	300	40	10	3	150	0.0028	390	10	2350	175	TO-220SM
UTT100P03	PTH	P	200	30	16	-	100	0.0033	-	45	2150	175	TO-220