Транзистор HAT1127H
HAT1127H - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: LFPAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 30 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 40 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0045 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 125 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 40 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 1180 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор HAT1127H можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AON6407 |
SMD |
P |
83 |
30 |
25 |
2.6 |
85 |
0.0045 |
75 |
16 |
900 |
150 |
DFN5X6 |
| SM4309PSKP |
SMD |
P |
78 |
30 |
25 |
- |
100 |
0.0036 |
70 |
25 |
1130 |
150 |
DFN5X6-8 |