Справочник электронных компонентов

Транзистор HAT1139H

HAT1139H - Транзистор полевой MOSFET структуры P

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: LFPAK

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 30 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 25 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
Максимальный постоянный ток стока, Id: 30 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.009 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 73 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: 48 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 720 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор HAT1139H можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
AOD403	SMD	P	90	30	25	3.5	70	0.008	51	12	585	175	TO-252
AOI403	PTH	P	90	30	25	3.5	70	0.0085	51	12	585	175	TO-251A
SM4301PSKP	SMD	P	78	30	25	-	90	0.0064	70	19	640	150	DFN5X6-8
SM4301PSU	SMD	P	78	30	25	-	88	0.0065	70	19	640	150	TO-252
SM4301PSUC	PTH	P	78	30	25	-	88	0.0065	70	19	640	150	TO-251S