Транзистор HCS12NK65V
HCS12NK65V - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-220F
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 33 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 650 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 12 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.38 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 32 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 60 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 215 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор HCS12NK65V можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| HCP12NK65V |
PTH |
N |
125 |
650 |
30 |
3.5 |
12 |
0.38 |
32 |
60 |
215 |
150 |
TO-220 |