Транзистор HFB1N60S
HFB1N60S - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-92
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 0.9 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 600 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 0.3 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 12 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 3 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 21 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 22 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор HFB1N60S можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| HFD1N60S |
SMD |
N |
2.5 |
600 |
30 |
4 |
1 |
12 |
3 |
21 |
22 |
150 |
DPAK |