Транзистор HFD2N60S
HFD2N60S - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: DPAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 44 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 600 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 1.9 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 5 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 6 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 25 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 37 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор HFD2N60S можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AFN02N60T220T |
PTH |
N |
100 |
600 |
30 |
4 |
2 |
4.2 |
5.67 |
23.4 |
35.7 |
150 |
TO-220 |
| AFN02N60T251T |
PTH |
N |
86 |
600 |
30 |
4 |
2 |
4.2 |
5.67 |
23.4 |
35.7 |
150 |
TO-251 |