Транзистор HFD4N50
HFD4N50 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: DPAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 45 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 500 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 2.6 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 2.7 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 13 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 70 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 70 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор HFD4N50 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| HFD5N50U |
SMD |
N |
63 |
500 |
30 |
4.5 |
4 |
1.5 |
13 |
35 |
70 |
150 |
DPAK |
| HFD5N60S |
SMD |
N |
91 |
600 |
30 |
4.5 |
4.3 |
2.5 |
10.5 |
45 |
60 |
150 |
DPAK |
| HFD5N60U |
SMD |
N |
80 |
600 |
30 |
4.5 |
3.6 |
2.5 |
10.5 |
40 |
60 |
150 |
DPAK |
| HFW5N60S |
SMD |
N |
100 |
600 |
30 |
4.5 |
4.5 |
2.5 |
10.5 |
45 |
60 |
150 |
D2PAK |
| KF4N60D |
PTH |
N |
59.5 |
600 |
30 |
4.5 |
3.2 |
2.5 |
10 |
30 |
54 |
150 |
IPAK |
| STD4NK50ZT4 |
SMD |
N |
45 |
500 |
30 |
4.5 |
3 |
2.7 |
12 |
7 |
49 |
150 |
DPAK |