Транзистор HFF11N60S
HFF11N60S - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-220F
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 32.1 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 600 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 10.8 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.75 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 9.1 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 45 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор HFF11N60S можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AOT11S60L |
PTH |
N |
178 |
600 |
30 |
4.1 |
11 |
0.399 |
- |
2 |
37.3 |
150 |
TO-220 |
| SSF11NS65U |
PTH |
N |
83 |
650 |
30 |
- |
11 |
0.38 |
- |
6 |
34 |
150 |
TO-220 |
| SSF11NS65UD |
SMD |
N |
49 |
650 |
30 |
- |
11 |
0.38 |
- |
6 |
34 |
150 |
DPAK |
| SSF11NS70UG |
PTH |
N |
40 |
700 |
30 |
- |
11 |
0.45 |
- |
6.9 |
31 |
150 |
IPAK |