Транзистор HFP10N80
HFP10N80 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-220
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 195 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 800 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 9.4 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 1.15 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 58 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 150 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 230 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор HFP10N80 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| HFH10N80 |
PTH |
N |
240 |
800 |
30 |
4.5 |
10 |
1.15 |
58 |
150 |
230 |
150 |
TO-3P |