Транзистор HFP5N80
HFP5N80 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-220
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 140 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 800 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 4.8 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 2.6 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 60 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 95 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор HFP5N80 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| FQI5N80TU |
PTH |
N |
140 |
800 |
30 |
5 |
4.8 |
2.6 |
25 |
60 |
95 |
150 |
I2PAK |
| FQP5N80 |
PTH |
N |
140 |
800 |
30 |
5 |
4.8 |
2.6 |
25 |
60 |
95 |
150 |
TO-220 |