Транзистор HFW5N50S
HFW5N50S - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: D2PAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 73 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 500 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 5 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 1.5 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 15.5 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 46 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 86 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор HFW5N50S можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AFN06N60T251T |
PTH |
N |
125 |
600 |
30 |
4 |
6 |
1.5 |
13.32 |
42.67 |
83.6 |
150 |
TO-251 |
| CS830A3RD |
PTH |
N |
75 |
500 |
30 |
4 |
5 |
1.5 |
14.5 |
11 |
68 |
150 |
TO-251 |
| CS830A4RD |
SMD |
N |
75 |
500 |
30 |
4 |
5 |
1.5 |
14.5 |
11 |
68 |
150 |
TO-252 |
| STD12N50M2 |
SMD |
N |
85 |
500 |
30 |
4 |
10 |
0.38 |
15 |
10.5 |
33 |
150 |
DPAK |