Транзистор HUF75617D3ST
HUF75617D3ST - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252AA
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 64 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 16 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.09 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 31 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 35 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 125 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор HUF75617D3ST можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| BUK7Y65-100E |
SMD |
N |
64 |
100 |
20 |
4 |
19 |
0.065 |
17.8 |
7.5 |
99.5 |
175 |
LFPAK56 |
| HUF75617D3 |
PTH |
N |
64 |
100 |
20 |
4 |
16 |
0.09 |
31 |
35 |
125 |
175 |
TO-251AA |
| HUF75617D3S |
SMD |
N |
64 |
100 |
20 |
4 |
16 |
0.09 |
31 |
35 |
125 |
175 |
TO-252AA |
| HUFA75617D3S |
SMD |
N |
64 |
100 |
20 |
4 |
16 |
0.09 |
31 |
35 |
125 |
175 |
TO-252AA |
| HUFA75617D3ST |
SMD |
N |
64 |
100 |
20 |
4 |
16 |
0.09 |
31 |
35 |
125 |
175 |
TO-252AA |
| NVD6416AN |
SMD |
N |
71 |
100 |
20 |
4 |
17 |
0.081 |
20 |
22 |
110 |
175 |
DPAK |
| PSMN027-100BS |
SMD |
N |
103 |
100 |
20 |
4 |
37 |
0.0268 |
30 |
11.4 |
115 |
175 |
D2PAK |
| PSMN034-100BS |
SMD |
N |
86 |
100 |
20 |
4 |
32 |
0.0345 |
23.8 |
10 |
94 |
175 |
D2PAK |
| PSMN040-100MSE |
SMD |
N |
91 |
100 |
20 |
4 |
30 |
0.0366 |
30 |
14.1 |
110 |
175 |
LFPAK33 |
| PSMN075-100MSE |
SMD |
N |
65 |
100 |
20 |
4 |
18 |
0.071 |
16.4 |
5.8 |
66 |
175 |
LFPAK33 |