Транзистор HUF75631SK8
HUF75631SK8 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: MS-012AA
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 2.5 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 5.5 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.039 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 66 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 23 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 330 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор HUF75631SK8 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IRF7495PBF |
SMD |
N |
2.5 |
100 |
20 |
4 |
7.3 |
0.022 |
34 |
13 |
250 |
150 |
SO-8 |
| IRFH5210PBF |
SMD |
N |
3.6 |
100 |
20 |
4 |
10 |
0.0149 |
40 |
9.7 |
260 |
150 |
PQFN5X6 |
| IRFH7110 |
SMD |
N |
3.6 |
100 |
20 |
4 |
11 |
0.0135 |
58 |
23 |
300 |
150 |
PQFN5X6 |
| SIR432DP |
SMD |
N |
5 |
100 |
20 |
4 |
8.6 |
0.0306 |
21 |
10 |
115 |
150 |
SO-8 |
| SIR838DP |
SMD |
N |
5.4 |
150 |
20 |
4 |
8.3 |
0.033 |
33 |
11 |
155 |
150 |
SO-8 |
| SM1A01NSFP |
PTH |
N |
25 |
100 |
25 |
4 |
25 |
0.022 |
37 |
13 |
270 |
150 |
TO-220FP |