Справочник электронных компонентов

Транзистор HUF75652G3

HUF75652G3 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: TO-247

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 515 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 75 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.008 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 393 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: -
Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор HUF75652G3 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
HUFA75652G3	PTH	N	515	100	20	4	75	0.008	393	195	2345	175	TO-247
IXFK180N10	PTH	N	560	100	20	4	180	0.008	390	-	-	150	TO-264
IXFN180N10	Модуль	N	600	100	20	4	180	0.008	390	-	-	150	MINIBLOC
IXFX180N10	PTH	N	560	100	20	4	180	0.008	390	-	-	150	TO-247
IXTK250N10	PTH	N	730	100	20	4	250	0.005	390	150	-	150	TO-264