Транзистор HUF75829D3ST
HUF75829D3ST - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252AA
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 110 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 150 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 18 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.11 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 58 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 30 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 260 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор HUF75829D3ST можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| HUF75829D3 |
PTH |
N |
110 |
150 |
20 |
4 |
18 |
0.11 |
58 |
30 |
260 |
175 |
TO-251AA |
| HUF75829D3S |
SMD |
N |
110 |
150 |
20 |
4 |
18 |
0.11 |
58 |
30 |
260 |
175 |
TO-252AA |
| HUFA75829D3S |
SMD |
N |
110 |
150 |
20 |
4 |
18 |
0.11 |
58 |
30 |
260 |
175 |
TO-252AA |
| HUFA75829D3ST |
SMD |
N |
110 |
150 |
20 |
4 |
18 |
0.11 |
58 |
30 |
260 |
175 |
TO-252AA |
| KDB2572 |
SMD |
N |
135 |
150 |
20 |
4 |
29 |
0.054 |
26 |
14 |
183 |
175 |
TO-263 |
| KDD2572 |
SMD |
N |
135 |
150 |
20 |
4 |
29 |
0.054 |
26 |
14 |
183 |
175 |
TO-252 |