Транзистор HUF76009D3ST
HUF76009D3ST - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252AA
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 41 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 20 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 20 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.027 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 10.7 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 115 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 350 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор HUF76009D3ST можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| STU60N3LH5-S |
PTH |
N |
60 |
30 |
20 |
3 |
48 |
0.008 |
8.8 |
33 |
265 |
175 |
IPAK |
| SUD50N03-16P |
SMD |
N |
40.8 |
30 |
20 |
3 |
37 |
0.016 |
8.5 |
20 |
215 |
175 |
TO-252 |