Транзистор HUF76013D3ST
HUF76013D3ST - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252AA
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 50 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 20 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 20 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.022 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 14.4 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 120 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 444 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор HUF76013D3ST можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| HUF76013D3S |
SMD |
N |
50 |
20 |
20 |
3 |
20 |
0.022 |
14.4 |
120 |
444 |
150 |
TO-252AA |
| HUF76013P3 |
PTH |
N |
50 |
20 |
20 |
3 |
20 |
0.022 |
14.4 |
93 |
444 |
150 |
TO-220AB |
| SSM72T02GH |
SMD |
N |
60 |
25 |
20 |
3 |
62 |
0.009 |
13 |
80 |
250 |
175 |
TO-252 |
| STU60N3LH5-S |
PTH |
N |
60 |
30 |
20 |
3 |
48 |
0.008 |
8.8 |
33 |
265 |
175 |
IPAK |
| SUD50N03-09P |
SMD |
N |
65.2 |
30 |
20 |
3 |
63 |
0.0095 |
11 |
15 |
410 |
175 |
TO-252 |