Транзистор HUF76609D3ST
HUF76609D3ST - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252AA
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 49 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 16 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 10 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.16 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 13 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 41 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 75 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор HUF76609D3ST можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| HUFA76609D3 |
PTH |
N |
49 |
100 |
16 |
3 |
10 |
0.16 |
13 |
41 |
75 |
175 |
TO-251AA |
| HUFA76609D3S |
SMD |
N |
49 |
100 |
16 |
3 |
10 |
0.16 |
13 |
41 |
75 |
175 |
TO-252AA |
| HUFA76609D3ST |
SMD |
N |
49 |
100 |
16 |
3 |
10 |
0.16 |
13 |
41 |
75 |
175 |
TO-252AA |