Транзистор HUFA75309T3ST
HUFA75309T3ST - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SOT-223
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 1.1 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 55 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 3 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.07 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 19 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 20 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 146 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор HUFA75309T3ST можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| KDS3512 |
SMD |
N |
2.5 |
80 |
20 |
4 |
4 |
0.07 |
13 |
3 |
58 |
175 |
SOP-8 |